Design optimization of ultra-fast silicon detectors

N. Cartiglia, R. Arcidiacono, M. Baselga, R. Bellan, M. Boscardin, F. Cenna, G. F. Dalla Betta, P. Fernndez-Martnez, M. Ferrero, D. Flores, Z. Galloway, V. Greco, S. Hidalgo, F. Marchetto, V. Monaco, M. Obertino, L. Pancheri, G. Paternoster, A. Picerno, G. PellegriniD. Quirion, F. Ravera, R. Sacchi, H. F.W. Sadrozinski, A. Seiden, A. Solano, N. Spencer

Risultato della ricerca: Contributo su rivistaArticolo in rivistapeer review

Abstract

Low-Gain Avalanche Diodes (LGAD) are silicon detectors with output signals that are about a factor of 10 larger than those of traditional sensors. In this paper we analyze how the design of LGAD can be optimized to exploit their increased output signal to reach optimum timing performances. Our simulations show that these sensors, the so-called Ultra-Fast Silicon Detectors (UFSD), will be able to reach a time resolution factor of 10 better than that of traditional silicon sensors.

Lingua originaleInglese
Numero di articolo57683
pagine (da-a)141-148
Numero di pagine8
RivistaNuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
Volume796
DOI
Stato di pubblicazionePubblicato - 1 ott 2015

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