Dettagli progetto
Description
The final goal of the UFSD project is to develop a finely segmented silicon sensor able to reach resolutions of ~10 picoseconds and ~ 20-30 microns. We plan to reach this goal by implanting an extra doping layer to achieve controlled charge multiplication.
| Acronimo | UFSD |
|---|---|
| Stato | Finito |
| Data di inizio/fine effettiva | 1/09/18 → 31/08/21 |
Funding
- European Commission
Keywords
- Low-Gain Avalanche Detectors
- Silicon sensor
Fingerprint
Esplora i temi di ricerca toccati da questo progetto. Queste etichette sono generate sulla base dei riconoscimenti/sovvenzioni sottostanti. Insieme formano una fingerprint unica.